更新觀念 保護(hù)技術(shù)

    日前，國家知識產(chǎn)權(quán)局向東汽峨半廠所發(fā)來書面通知，正式受理廠所關(guān)于《真空區(qū)熔高阻硅單晶的制備方法》的首個專利申請，該專利申請的受理，標(biāo)志著廠、所在知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)方面邁出了實質(zhì)性的一步。

    多年來，由于受到舊觀點及特殊歷史環(huán)境的影響，廠、所研發(fā)的大量的科技成果均沒有申報專利，導(dǎo)致了一些技術(shù)秘密的流失，極大地削弱了廠、所的市場競爭力。隨著近年來廠所的快速發(fā)展，特別是東汽入主后，知識產(chǎn)權(quán)方面的現(xiàn)狀引起了廠、所決策層的高度重視，將知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)作為一項重要任務(wù)來抓，并責(zé)成科研處具體負(fù)責(zé)。自2008年，科研處工作人員為專利申報做了大量的基礎(chǔ)準(zhǔn)備工作，對廠、所現(xiàn)有的科技成果狀況進(jìn)行了梳理，就可能申報專利的科技成果進(jìn)行了專利查新，多次與專利事務(wù)所、地方知識產(chǎn)權(quán)局等單位洽談，最終確定將《真空區(qū)熔高阻硅單晶的制備方法》作為專利向國家提出首個專利申請，并順利獲得受理。此次專利申報工作的開展，為規(guī)范廠、所知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)工作打開了新局面，今后科研處全體工作人員將進(jìn)一步加強工作力度，提高知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)工作管理水平，為廠、所又好又快的發(fā)展作貢獻(xiàn)。