近日，中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王兆娜博士，于若蒙和溫肖楠等人在王中林院士的領導下首次實現(xiàn)了壓電光電子學效應優(yōu)化的硅基可見光傳感器。這項工作首次利用壓電半導體的壓電效應來調(diào)控非壓電半導體材料硅的光電性能，并在實驗上首次觀察到壓電光電子學效應對光電流調(diào)控的最優(yōu)化效果。在壓電光電子學效應的調(diào)控下，光探測器的響應相對增強了177%，同時響應時間也相對縮減了87%。這項研究結(jié)果為非壓電材料的光電性能的調(diào)控開啟了一種便于操控的新途徑，并進一步拓寬壓電效應在非壓電材料中的應用。相關研究成果發(fā)表在ACS Nano雜志上（DOI 10.1021/nn506427p）。

論文通訊作者王中林院士是中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所首席科學家，研究所是由中國科學院和北京市聯(lián)合共建的科研機構。