“建議國家高度重視IGBT產業(yè)發(fā)展，支持國內優(yōu)勢企業(yè)開展以IGBT為代表的功率芯片及其器件的研究開發(fā)與產業(yè)化。”

全國人大代表、湖南省經濟和信息化委員會主任謝超英在接受《中國電子報》記者專訪時說，他向大會提出了加快IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產業(yè)發(fā)展的建議，建議國家高度重視IGBT產業(yè)發(fā)展。

IGBT應用需求巨大

我國IGBT消費市場目前的規(guī)模約80億元，到2020年可能達到300億元的規(guī)模。

謝超英向《中國電子報》記者介紹說，IGBT是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，為世界公認的電力電子第三次技術革命的代表性產品，具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽為功率變流裝置的“CPU”。

近年來，隨著國民經濟的快速發(fā)展，功率半導體技術已被廣泛應用。“目前，中國是世界上最大的功率半導體器件消費國，但作為產業(yè)鏈高端的功率芯片則全部依賴進口，這勢必影響國民經濟的安全、可持續(xù)發(fā)展。建議國家高度重視IGBT產業(yè)發(fā)展，支持國內優(yōu)勢企業(yè)開展以IGBT為代表的功率芯片及其器件的研究開發(fā)與產業(yè)化。”

謝超英對記者說，我國IGBT技術取得了一定突破，應用需求巨大。IGBT芯片技術方面，中國南車建成全球第二條、國內首條8英寸IGBT芯片專業(yè)生產線，去年成功實現首批8英寸1700V IGBT芯片下線，8英寸3300V芯片已完成試制與測試，6500V芯片已研發(fā)出合格樣品。IGBT模塊技術方面，封裝IGBT模塊所用芯片大多由國外公司提供，國產IGBT芯片年產值不到1億元。但我國卻是全球最大的功率半導體消費市場，市場潛力巨大。其中，我國IGBT消費市場目前約80億元的規(guī)模，到2020年可能達到300億元的規(guī)模。

在謝超英看來，我國IGBT產業(yè)發(fā)展制約因素較多，亟待突破。一是沒有形成創(chuàng)新體系，二是缺乏完整的生產線，三是配套產業(yè)薄弱，關鍵材料的國產化已成為我國IGBT產業(yè)快速發(fā)展的一大制約因素。

出臺扶持政策加快產業(yè)化

建議國家出臺扶持政策，依托優(yōu)勢企業(yè)，推進IGBT產業(yè)化并形成規(guī)模優(yōu)勢。

謝超英說，IGBT作為電能變換的關鍵部件，是現代科學、工業(yè)和國防的重要核心技術。為盡快改變我國功率半導體芯片基本依賴進口的局面，他建議國家出臺扶持政策，依托國內優(yōu)勢企業(yè)，通過示范和引導，大力推進我國IGBT產業(yè)化并形成規(guī)模優(yōu)勢。

一是設立國家重大科技專項支持IGBT技術研發(fā)與產業(yè)化。建議設置功率半導體重大專項，支持IGBT等功率器件技術升級與產業(yè)拓展。探索IGBT研發(fā)與產業(yè)化的“后補助”政策，通過“事前申報、事后認定”的方式給予IGBT科技創(chuàng)新主體經費補助，推進IGBT技術的持續(xù)創(chuàng)新，加速科技成果產業(yè)化。

二是鼓勵與支持國產IGBT器件的進口替代及應用推廣，以器件應用拉動IGBT產業(yè)化進程。同時，對軌道交通、新能源、電動汽車、家電等IGBT主要應用領域提供政策性補貼，通過政府采購、節(jié)能工程、示范工程等政策，加快推動國產IGBT應用的多點突破，加強器件、系統(tǒng)、裝置與應用全產業(yè)鏈的合作。

三是建設國家級創(chuàng)新平臺培育IGBT產業(yè)集群。建議以中國南車建設的國內首條8英寸IGBT生產線為基礎，建設功率半導體國家級科技創(chuàng)新平臺，引領行業(yè)技術、標準發(fā)展。依托中國南車等優(yōu)勢企業(yè)建立IGBT芯片基地和IGBT應用產業(yè)基地，匯聚功率器件上下游產業(yè)，形成國內首個國產IGBT千億元產業(yè)基地，示范和引領產業(yè)發(fā)展。

四是出臺稅收等政策支持IGBT國產化。對于成熟的國產IGBT制造企業(yè)持續(xù)性投入，予以項目資金支持，減免銷售收入增值稅，并逐步提高進口IGBT的關稅，減輕國產IGBT的市場價格競爭壓力，促進我國IGBT產業(yè)的健康發(fā)展。