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美國Silicon Genesis憑“PolyMax”技術(shù)涉足太陽能電池底板市場

   2008-07-17 ne21.com21世紀(jì)新能源11620

  開發(fā)SOI(Silicon On Insulator)晶圓技術(shù)的美國Silicon Genesis公司2008年7月11日宣布,成功研制出使用“PolyMax”晶圓工藝技術(shù)的太陽能電池底板。該公司將使用該技術(shù),涉足太陽能電池晶圓市場。


利用PolyMax技術(shù)制造的厚50μm的125mm晶圓

  利用PolyMax技術(shù)的晶圓制造設(shè)備,除消除切割損失,大幅減少將硅錠切割成晶圓的工序中多結(jié)晶硅的使用量之外,還能夠在晶圓制造過程中省去部分費(fèi)用較大的耗材。另外,該公司表示,用該設(shè)備以單結(jié)晶硅制造高效太陽能電池單元,還有望緩解原材料――多結(jié)晶硅的短缺狀況。

  該公司此次制造了厚50μm的125mm晶圓樣品。還計劃在2009年春季之前,利用PolyMax晶圓工藝技術(shù),啟動將硅錠切割成厚50~150μm的晶圓的試驗生產(chǎn)線。

  該公司預(yù)定在2008年9月1~5日于西班牙舉辦的“23rd European Photovoltaic Conference”上,公開PolyMax晶圓工藝技術(shù)及其設(shè)備的詳細(xì)情況。

 
標(biāo)簽: 單晶硅
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